کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1783800 | 1524077 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hybrid flexible ambipolar thin-film transistors based on pentacene and ZnO capable of low-voltage operation
ترجمه فارسی عنوان
ترانزیستورهای فیلم نازک انعطاف پذیر ambipolar ترکیبی بر اساس پنتاسن و ZnO قادر به عملکرد کم ولتاژ
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترانزیستور فیلم نازک آلی (OTFT)؛ ترانزیستور انعطاف پذیر؛ ZnO؛ ترانزیستور دیجیتال؛ عملکرد ولتاژ پایین
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
چکیده انگلیسی
A flexible ambipolar thin-film transistor (TFT) was developed that consisted of a pentacene layer and a ZnO layer modified with a dodecanoic acid self-assembled monolayer on a flexible polyarylate substrate. The TFT exhibited balanced hole and electron mobilities of 0.3 and 0.2 cm2 V−1 s−1 and showed flexible thin-film characteristics. Additionally, because the anodized Al2O3 dielectric layer is a high κ material compared with a normal SiO2 dielectric layer, the flexible ambipolar TFT was able to operate at a low voltage of 5 V.
Figure optionsDownload as PowerPoint slide
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chinese Journal of Physics - Volume 54, Issue 4, August 2016, Pages 471–474
Journal: Chinese Journal of Physics - Volume 54, Issue 4, August 2016, Pages 471–474
نویسندگان
Chanwoo Yang, Eun Joo Yoo, Seung Woo Lee, Tae Kyu An, Se Hyun Kim,