کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1784450 | 1524122 | 2014 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design and modelling of high-operating temperature MWIR HgCdTe nBn detector with n- and p-type barriers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Design and modelling of high-operating temperature MWIR HgCdTe nBn detector with n- and p-type barriers Design and modelling of high-operating temperature MWIR HgCdTe nBn detector with n- and p-type barriers](/preview/png/1784450.png)
چکیده انگلیسی
Theoretical results were related to the experimental data of the MWIR n+/B/n/N+ photodetectors grown by MOCVD. Dark currents of the first fabricated devices are limited by undesirable iodine diffusion from cap layer to the barrier. However, the nBn architecture might be a promising solution for HgCdTe infrared detectors grown by MOCVD, mainly due to the possibility of in situ acceptor doping of the barrier.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 64, May 2014, Pages 47-55
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 64, May 2014, Pages 47-55
نویسندگان
M. Kopytko,