کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1785009 | 1023291 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis and comparison of n-AlxGa1âxAs/GaAs QWIPs with different device structures and optical coupling
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper discusses optical coupling for n-GaAs/AlGaAs multiple quantum well infrared photodetectors (MQWIPs). The optical responsivity has been compared with different grating structures fabricated by reactive ion etching (RIE), device form, and incidence mode. The optical coupling efficiencies are further analyzed by the modal expansion model (MEM), including optical field distributions in different size photosensitive element and interrelated influences with scattering matrix method based on plane-wave expansion (PWE). Some extra coupling parameters have been obtained in designing and optimizing QWIPs FPA.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 52, Issue 6, November 2009, Pages 276-280
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 52, Issue 6, November 2009, Pages 276-280
نویسندگان
F.M. Guo, D.Y. Xiong, W.E. Zhang, Z.Q. Zhu,