کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1785057 1023293 2006 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gas source MBE grown wavelength extended 2.2 and 2.5 μm InGaAs PIN photodetectors
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Gas source MBE grown wavelength extended 2.2 and 2.5 μm InGaAs PIN photodetectors
چکیده انگلیسی

Using homo-junction structure and relative thin linear graded InxGa1−xAs as the buffer layer, extended wavelength InGaAs PIN photodetectors with cut-off wavelength of 2.2 and 2.5 μm at room temperature have been grown by using GSMBE, and their performance over a wide temperature range have been extensively investigated. For those 2.2 or 2.5 μm detectors with 100 μm diameter, the typical dark current (VR = 10 mV) and R0A are 57 nA/10.3 Ω cm2 or 67 nA/12.7 Ω cm2 at 290 K, and 84 pA/4.70 kΩ cm2 or 161 pA/3.12 kΩ cm2 at 210 K respectively. The thermal activation energies of the dark current are 0.447 eV or 0.404 eV for 2.2 or 2.5 μm detectors respectively.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 47, Issue 3, January 2006, Pages 257–262
نویسندگان
, , , , , ,