کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1785113 | 1023296 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structure design of amorphous silicon thin film transistor used as uncooled infrared sensors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Structure design of amorphous silicon thin film transistor used as uncooled infrared sensors Structure design of amorphous silicon thin film transistor used as uncooled infrared sensors](/preview/png/1785113.png)
چکیده انگلیسی
The influence of gate dimensions on the detectivity of uncooled amorphous silicon thin film transistor infrared sensors is analyzed theoretically. The relationship between the structure parameter of thin film transistor and electronic as well as thermal responsivity is simulated by finite element analysis software. Optimized structure has been carried out through theoretical analysis and ANSYS 8.0 simulation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 50, Issue 1, March 2007, Pages 47-50
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 50, Issue 1, March 2007, Pages 47-50
نویسندگان
Liu Xing-ming, Han Lin, Liu Li-tian,