کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1785225 | 1524133 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band structure and impurity effects on optical properties of quantum well and quantum dot infrared photodetectors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We examined theoretically band structure and discrete dopant effects in the quantum well infrared photodetector (QWIP) and the quantum dot infrared photodetector (QDIP). We find that in QWIPs discrete dopant effects can induce long wavelength infrared absorption through impurity assisted intra-subband optical transitions. In QDIPs, we find that a strategically placed dopant atom in a quantum dot can easily destroy the symmetry and modify the selection rule. This mechanism could be partially responsible for normal incidence absorption observed in low-aspect-ratio quantum dots.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 50, Issues 2â3, April 2007, Pages 136-141
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 50, Issues 2â3, April 2007, Pages 136-141
نویسندگان
D.Z.-Y. Ting, Y.-C. Chang, S.V. Bandara, C.J. Hill, S.D. Gunapala,