کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1785244 | 1524133 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
LWIR/SWIR switchable two color device based on InP/InGaAs integrated HBT/QWIP
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A novel two color infrared (IR) device that allows fast electrical switching between the short wavelength IR (SWIR) band (0.9-1.6 μm) and the long wavelength IR (LWIR) band (8-12 μm) is presented. The integrated sensor is based on MOCVD grown, lattice matched (to InP substrate) epilayers of InGaAs/InP and consists of two, monolithically integrated sections of heterojunction bipolar transistor (HBT) and quantum well infrared photodetector (QWIP).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 50, Issues 2â3, April 2007, Pages 253-259
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 50, Issues 2â3, April 2007, Pages 253-259
نویسندگان
N. Cohen, R. Gardi, G. Sarusi, A. Sa'ar, M. Byloos, A. Bezinger, A.J. SpringThorpe, H.C. Liu,