Domain wall engineering through exchange bias

کنترل ساختار و موقعیت دیواره های میدان مغناطیسی بر پایه توسعه دستگاه های مختلف مغناطیسی و معماری است. تعدادی از تکنیک های نانو ساختار برای ساخت و سازهای دیوار حائل به شکل هندسی محدود شده اند. با این حال، تنظیم خوبی از موقعیت و پیکربندی میکرومغناطیسی به سختی به دست می آید، به ویژه در فیلم های پیوسته. این کار نشان می دهد که با کنترل یکنواختی یکنواختی یک فیلم فرو مغناطیسی پیوسته از طریق تبعیض مبادله، دیوارهای حوزه ای که آرایش چرخشی آنها به طور کلی توسط دیاگرام های متقابل و تعاملی تبادلات ایجاد نمی شود، ایجاد می شود. شبیه سازی های میکرومغناطیسی نشان می دهد که عرض دیوار دامنه، موقعیت و مشخصات را می توان با ایجاد یک تغییر ناگهانی در جهت و مقدار میدان تعادل تبادل در سیستم تنظیم شده است.