کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1800261 | 1024519 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature radio-frequency transverse susceptibility measurements using a CMOS oscillator circuit
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠An improved magnetic transverse susceptibility measurement equipment is presented. ⺠The electronics of the equipment are redesigned by using CMOS transistors. ⺠Minimal thermal leak of the probe is obtained allowing to measure from 1.8 K. ⺠The sensitivity of the equipment is 10â6 emu at low temperatures. ⺠The data acquisition sequences are implemented in the PPMS MultiVu software.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 324, Issue 17, August 2012, Pages 2669-2675
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 324, Issue 17, August 2012, Pages 2669-2675
نویسندگان
A.I. Figueroa, J. Bartolomé, J.M. GarcÃa del Pozo, A. Arauzo, E. Guerrero, P. Téllez, F. Bartolomé, L.M. GarcÃa,