کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1802201 | 1024591 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tunnel magnetoresistance in trilayer junctions from first principles: Cr δ-layerδ-layer doped GaN/AlN/GaN (0 0 0 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The microscopic mechanism of the tunneling magnetoresistance (TMR) in Cr-doped GaN/AlN/GaN (0 0 0 1) trilayer junctions is studied based on density functional theory calculations. For enhanced performance, we propose δ-Cr-layerδ-Cr-layer doping in GaN, close to the GaN/AlN interfaces. Depending on the doping concentration, Cr dopants produce local metallic (1 ML) or half-metallic (12 and 14 ML) states surrounded by the host semiconductor materials. Very thin AlN barriers are predicted to yield a low TMR effect. These results help explain existing experimental results and are expected to be valuable with regard to the practical fabrication of improved pure semiconductor spintronic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 322, Issue 4, February 2010, Pages 395–399
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 322, Issue 4, February 2010, Pages 395–399
نویسندگان
X.Y. Cui, B. Delley, A.J. Freeman, C. Stampfl,