کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1802854 | 1024605 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab initio calculation and analysis of the properties of digital magnetic heterostructures and diluted magnetic semiconductors of IV and III–V groups
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We present the first-principles calculations of digital magnetic heterostructures Si/M, Ge/M. GaAs/M, GaSb/M, GaN/M and GaN/M (50%) with M=Cr, Mn, Fe, and Co. The interaction between magnetic dopants results in a wide spin-polarized two-dimensional band inside the gap. It is found that beginning occupation of the minority-spin band greatly increases the energy of the ferromagnetic (FM) state and leads, as a rule, to the antiferromagnetic (AFM) spin ordering. This mechanism causes transition to the AFM state, when interaction between magnetic atoms is too strong, and defines the optimum of Curie temperature as a function of transition element concentration in magnetic layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 321, Issue 7, April 2009, Pages 931–934
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 321, Issue 7, April 2009, Pages 931–934
نویسندگان
Yu.A. Uspenskii, E.T. Kulatov,