کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1803228 | 1024613 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure of p-type (Ga,Fe)N diluted magnetic semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electronic structure of p-type (Ga,Fe)N diluted magnetic semiconductors Electronic structure of p-type (Ga,Fe)N diluted magnetic semiconductors](/preview/png/1803228.png)
چکیده انگلیسی
By ab-initio calculation we show that the (Ga,Fe)N ground state may be changed from anti-ferromagnetic to ferromagnetic by acceptor defect like Ga vacancies. The electronic structures are calculated by using the Korringa-Kohn-Rostoker (KKR) method combined with coherent potential approximation (CPA). We show that we can increase the magnetic moment of Fe in p-type GaN by oxygen co-doping. Mechanism of exchange interactions between magnetic ions in p-type (Ga,Fe)N is also studied. The effect of external magnetic field on the electronic structure of (Ga, Fe)N and p-type (Ga, Fe)N is investigated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 321, Issue 16, August 2009, Pages 2402-2406
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 321, Issue 16, August 2009, Pages 2402-2406
نویسندگان
O. Mounkachi, A. Benyoussef, A. El Kenz, E.H. Saidi,