کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1803892 | 1024635 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface resistance dependence of spin transport in a ferromagnet-semiconductor hybrid structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The spin transport signals from NiFe and Co into two-dimensional electron gas layers are measured for various thicknesses of transmission barriers. A stable and reproducible electrical detection of spin transport was obtained only when the barrier thickness is less than 10 nm. The typical interface resistance to observe spin signals in this experiment is about 0.5-250 Ω, which is a neither transparent nor a severe tunneling limit. The optimal interface resistance depends on the ferromagnetic materials, but severe tunneling barrier is not proper for fully electrical spin transport. Device size is also a critical factor to decide the proper range of interface resistance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 320, Issue 8, April 2008, Pages 1436-1439
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 320, Issue 8, April 2008, Pages 1436-1439
نویسندگان
Hyun Cheol Koo, Jae Hyun Kwon, Jonghwa Eom, Joonyeon Chang, Suk-Hee Han,