کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1805041 | 1024667 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantum theory of tunneling magnetoresistance in GaMnAs/GaAs/GaMnAs heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Quantum theory of tunneling magnetoresistance in GaMnAs/GaAs/GaMnAs heterostructures Quantum theory of tunneling magnetoresistance in GaMnAs/GaAs/GaMnAs heterostructures](/preview/png/1805041.png)
چکیده انگلیسی
Using a quantum theory including spin-splitting effect in diluted magnetic semiconductors, we study the dependence of tunneling magnetoresistance (TMR) on barrier thickness, temperature and applied voltage in GaMnAs/GaAs/GaMnAs heterostructures. TMR ratios more than 65% are obtained at zero temperature, when one GaAs monolayer (≈0.565nm) is used as a tunnel barrier. It is also shown that the TMR ratio decreases rapidly with increasing barrier thickness and applied voltage; however, at high voltages and low thicknesses, the TMR first increases and then decreases. Our model calculations well explain the main features of the recent experimental observations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 305, Issue 1, October 2006, Pages 141–146
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 305, Issue 1, October 2006, Pages 141–146
نویسندگان
Alireza Saffarzadeh, Ali A. Shokri,