کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
182361 | 459423 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
In situ monitoring of the etching of thin silicon oxide films in diluted NH4F by IR ellipsometry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: In situ monitoring of the etching of thin silicon oxide films in diluted NH4F by IR ellipsometry In situ monitoring of the etching of thin silicon oxide films in diluted NH4F by IR ellipsometry](/preview/png/182361.png)
چکیده انگلیسی
Infrared spectroscopic ellipsometry (IRSE) was applied to monitor the etching process of electrochemically formed silicon oxides (11.5 and 3.8 nm thick films) in diluted NH4F solution. The optical properties of the amorphous silicon oxide film and the time dependent thicknesses of the oxide films during the etching process were deduced from quantitative evaluations of IRSE spectra.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochemistry Communications - Volume 10, Issue 2, February 2008, Pages 315–318
Journal: Electrochemistry Communications - Volume 10, Issue 2, February 2008, Pages 315–318
نویسندگان
Karsten Hinrichs, Katy Roodenko, Jörg Rappich,