Relaxation plastique d'un film mince par émission de dislocations filantes vis

RésuméLe système formé par un film mince cohérent avec un substrat cristallin peut relaxer plastiquement son énergie interne par un recuit. Les dislocations filantes émises dans les dix premières minutes du recuit à 350 °C de l'hétérostructure Si0.68Ge0.32/Si(001) sont observées en microscopie électronique à transmission, puis identifiées par comparaison avec des images simulées de dislocations anguleuses supposées en milieu semi-infini. Elles sont de nature vis, ce qui explique la couverture rapide de l'interface par des dislocations à 60° orientées 〈110〉. Pour citer cet article : R. Bonnet et al., C. R. Physique 9 (2008).

The system formed by a thin film coherent with a crystalline substrate can relax its internal energy by annealing. Threading dislocations emitted after ten minutes annealing at 350 °C of the Si0.68Ge0.32/Si(001) heterostructure are observed in transmission electron microscopy, and then identified by comparison to simulated images of angular dislocations placed in a semi infinite medium. They are of screw character, which explains the rapid coverage of the interface by 60° dislocations oriented 〈110〉. To cite this article: R. Bonnet et al., C. R. Physique 9 (2008).