Twinning occurrence and grain competition in multi-crystalline silicon during solidification

Multi-crystalline silicon solidification is investigated by performing directional solidification experiments. Twinning phenomenon has been identified and observed in situ and in real time during the solidification using X-ray synchrotron imaging techniques: radiography and topography. The radiography observations give information on the formation, birth localized at the interface and evolution of the twins during solidification. The topography results give further information on the grain arrangement and on new grains in twinned position and grain growth competition. We have evidenced two twinning mechanisms: the first is the multiple twin formations during the growth of one grain. The second is the nucleation of a grain in twinned position at the bottom of a grain boundary groove.

RésuméLa solidification du silicium multi-cristallin a été étudiée en menant à bien des expériences de solidification dirigée. Le phénomène de maclage a été identifié et observé in situ et en temps réel pendant la solidification, en utilisant des techniques dʼimagerie X synchrotron : radiographie et topographie. Les observations par radiographie donnent des informations concernant la formation, la localisation à lʼinterface et lʼévolution des macles au cours de la solidification. Les résultats de topographie donnent des informations complémentaires sur lʼarrangement des grains et sur la compétition de croissance des macles et des grains. Nous avons montré lʼexistence de deux mécanismes de maclage : la formation de macles multiples pendant la croissance dʼun grain et la germination dʼune macle unique dans le sillon dʼun joint de grains.