کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1859883 | 1037386 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Spin valve effect and negative tunnel magnetoresistance in a quantum dot transistor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We study the spin polarized transport through a quantum dot transistor. It is shown that the interplay of large Coulomb interaction and optically induced spin accumulation gives rise to the spin valve effect over a range of bias. We also find negative tunnel magnetoresistance for system with ferromagnetic electrodes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 374, Issue 36, 9 August 2010, Pages 3758–3761
Journal: Physics Letters A - Volume 374, Issue 36, 9 August 2010, Pages 3758–3761
نویسندگان
Yibo Ying, Guojun Jin,