One-dimensional Ge nanostructures on Si(001) and Si(1 1 10): Dominant role of surface energy

Ge/Si(001) is a prototypical system for investigating three-dimensional island self-assembly owed to the Stranski–Krastanow growth mode. More than twenty years of research have produced an impressive amount of results, together with various theoretical interpretations. It is commonly believed that lattice-mismatch strain relief is the major driving force leading to the formation of these islands. However, a set of recent results on Si(001) and vicinals point out that, under suitable conditions, this is not the case. Indeed, we here review experimental and theoretical results dealing with nanostructures mainly determined by surface-energy minimization. Results are intriguing, as they reveal the existence of magic sizes, show the presence of very peculiar morphologies, such as micron-long wires, and distinguish among attempts to facet the wetting-layer and true SK islands.

RésuméLe système Ge/Si(001) constitue un prototype pour lʼétude de lʼauto-assemblage des îlots tridimensionnels dans le cadre de la croissance Stranski–Krastanov. Plus de vingt ans de recherches on produit une quantité impressionnante de résultats, ainsi que des interprétations théoriques variées. Il est communément admis que la relaxation de la contrainte due au désaccord de maille est la force motrice dominante qui mène à la formation de ces îlots. Cependant, de nouveaux résultats sur Si(001) et sur des surfaces vicinales indiquent que, dans des conditions adaptées, ce nʼest pas le cas. En effet, nous rapportons ici des résultats expérimentaux et théoriques décrivant des nanostructures qui sont essentiellement déterminées par la minimisation de lʼénergie de surface. Ces résultats intriguent, car ils révèlent la présence de tailles magiques, et montrent la présence de morphologies très particulières, comme des fils de longueur micronique. De plus, elles mettent en évidence les différence entre les tentatives de facettage de la couche de mouillage et la formation de véritables îlots Stranski–Krastanov.