کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1861204 | 1037493 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First principles study of N–N split interstitial in GaN nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Atomic and electronic properties of N–N split interstitial in GaN nanowires have been investigated using first principles calculations. The formation energy calculations show that the N–N interstitial favors substituting an N atom at the surface of the nanowires. The interstitial induces localized states in the band gap of GaN nanowires.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 374, Issue 44, 4 October 2010, Pages 4543–4547
Journal: Physics Letters A - Volume 374, Issue 44, 4 October 2010, Pages 4543–4547
نویسندگان
Zhiguo Wang, Jingbo Li,