کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1861227 | 1037496 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
One-dimensional semiconductor in a polar solvent: Solvation and low-frequency dynamics of an excess charge carrier
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Due to solvation, excess charge carriers on 1d semiconductor nanostructures immersed in polar solvents undergo self-localization into polaronic states. Using a simplified theoretical model for small-diameter structures, we study low-frequency dynamical properties of resulting 1d adiabatic polarons. The combined microscopic dynamics of the electronic charge density and the solvent leads to macroscopic Langevin dynamics of a polaron and to the appearance of local dielectric relaxation modes. Polaron mobility is evaluated as a function of system parameters. Numerical estimates indicate that the solvated carriers can have mobilities orders of magnitude lower than the intrinsic values.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 372, Issue 37, 8 September 2008, Pages 5909–5914
Journal: Physics Letters A - Volume 372, Issue 37, 8 September 2008, Pages 5909–5914
نویسندگان
Yu.N. Gartstein, G.L. Ussery,