کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1861265 | 1037499 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Wannier-Mott excitons on a helically-shaped one-dimensional semiconductor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Within a simplified model, we explore how bound electron-hole pair (exciton) states and optical transitions between them are affected by the geometry of a helically shaped one-dimensional semiconductor. Among the illustrated geometrical effects are variable enhancement of the binding energy for different excitons and the appearance of new excitonic states with spatially separated electron and hole positioned on different turns of the helix.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 374, Issue 30, 5 July 2010, Pages 3076-3079
Journal: Physics Letters A - Volume 374, Issue 30, 5 July 2010, Pages 3076-3079
نویسندگان
R. Sarma, Yu.N. Gartstein,