کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1861644 | 1037531 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
AlN, GaN, AlxGa1 − xN nanotubes and GaN/AlxGa1 − xN nanotube heterojunctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Semiconductor optoelectronic devices based on GaN and on InGaN or AlGaN alloys and superlattices can operate in a wide range of wavelengths, from far infrared to near ultraviolet region. The efficiency of these devices could be enhanced by shrinking the size and increasing the density of the semiconductor components. Nanostructured materials are natural candidates to fulfill these requirements. Here we use the density functional theory to study the electronic and structural properties of (10,0)(10,0) GaN, AlN, AlxGa1 − xN nanotubes and GaN/AlxGa1 − xN heterojunctions, 0
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 374, Issue 6, 25 January 2010, Pages 877–881
Journal: Physics Letters A - Volume 374, Issue 6, 25 January 2010, Pages 877–881
نویسندگان
James M. de Almeida, Tapas Kar, Paulo Piquini,