کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1861834 | 1037542 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transient gain property of a weak probe field in an asymmetric semiconductor coupled double quantum well structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The transient gain property of a weak probe field in an asymmetric semiconductor coupled double quantum well structure is reported. The transient process of the system, which is induced by the external coherent coupling field, shows the property of no inverse gain. We find that the transient behavior of the probe field can be tuned by the change of tunneling barrier. Both the amplitude of the transient gain and the frequency of the oscillation can be affected by the lifetime broadening.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 370, Issue 2, 15 October 2007, Pages 113-118
Journal: Physics Letters A - Volume 370, Issue 2, 15 October 2007, Pages 113-118
نویسندگان
ZhiGang Wang, ZhiRen Zheng, JunHua Yu,