کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1862617 | 1037598 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Probing pairing symmetry of Sm1.85Ce0.15CuO4 via highly-sensitive voltage measurements: Evidence for strong impurity scattering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Probing pairing symmetry of Sm1.85Ce0.15CuO4 via highly-sensitive voltage measurements: Evidence for strong impurity scattering Probing pairing symmetry of Sm1.85Ce0.15CuO4 via highly-sensitive voltage measurements: Evidence for strong impurity scattering](/preview/png/1862617.png)
چکیده انگلیسی
Using a highly-sensitive home-made mutual-inductance technique, temperature profiles of the magnetic penetration depth λ(T) in the optimally-doped Sm1.85Ce0.15CuO4 thin films have been extracted. The low-temperature behavior of λ(T) is found to be best-fitted by linear Îλ(T)/λ(0)=ln(2)kBT/Î0 and quadratic Îλ(T)/λ(0)=Îâ1/2Î0â3/2T2 laws above and below T=0.22TC, respectively, which clearly indicates the presence of d-wave pairing mechanism dominated by strong paramagnetic scattering at the lowest temperatures. The best fits produce Î0/kBTC=2.07 and Î/TC=0.25(TC/Î0)3 for the estimates of the nodal gap parameter and impurity scattering rate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 359, Issue 6, 11 December 2006, Pages 696-699
Journal: Physics Letters A - Volume 359, Issue 6, 11 December 2006, Pages 696-699
نویسندگان
A.J.C. Lanfredi, S. Sergeenkov, F.M. Araujo-Moreira,