کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1862800 | 1037612 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
4f-5d hybridization in a high k dielectric
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: 4f-5d hybridization in a high k dielectric 4f-5d hybridization in a high k dielectric](/preview/png/1862800.png)
چکیده انگلیسی
While intra-atomic f-d hybridization is expected, experimental confirmation of f-d hybridization in the photoemission final state leading to 4f band structure has been limited to 5f systems and compound systems with very shallow 4f levels. We demonstrate that core 4f states can contribute to the valence band structure in a wide band gap dielectric, in this case HfO2 in the photoemission final state. In spite of the complications of sample charging, we find evidence of symmetry in the shallow 4f levels and wave vector dependent band dispersion, the latter consistent with the crystal structure of HfO2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 357, Issue 3, 11 September 2006, Pages 240-244
Journal: Physics Letters A - Volume 357, Issue 3, 11 September 2006, Pages 240-244
نویسندگان
Ya.B. Losovyj, Jinke Tang, Wendong Wang, Yuanjia Hong, Vadim Palshin, Roland Tittsworth,