Tunable dwell time in gated silicene nanostructures

ما با استفاده از خواص الکترونیکی سیگنال پتانسیل دروازه، با استفاده از نانوساختارهای سیلیکن تک و چند گانه، زمان ماندگی تونل زنی کوانتومی را به طور سیستماتیک بررسی کردیم. نشان داده شده است که بر خلاف گرافن، تونل زنی فوقانی شکم حتی با بروز عادی ممکن است به علت شکاف بزرگ سیلیسن اسپین یاپلت مشاهده شود. همراه با جغرافیایی تطبیق پذیری میدان ما نشان می دهد که این تونل زنی فوق العاده شفاف می تواند به طور انعطاف پذیری از طریق میانگین الکتریکی روشن و خاموش شود. با شبیه سازی زمان ماندن از طریق سازه های دو جداره متقارن و نامتقارن، همچنین در اینجا نشان داده شده است که زمان ماندگی، وابستگی متمایزی به پروفیل سد و سد قبلی را نشان می دهد. این مشاهدات، برخی از استراتژی های مطلوب را ارائه می دهد تا تجربیات آزمایشی را بررسی و بطور فزاینده ای از جنبه وابسته به زمان تونل زنی در نانوسیم های جامد را درک کنند.