کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1864855 | 1530666 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of structure characteristics of the Ga8As8 cluster
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have investigated the structures and energies of Ga8As8 clusters using full-potential linear-muffin-tin-orbital molecular-dynamics (FP-LMTO MD) calculations. 10 stable structures were obtained for Ga8As8 clusters including the ring structure considered by Sun et al. [Chem. Phys. Lett. 381 (2003) 397]. More importantly, we got a new ground state structure, the cage-like structure with an As atom inside, the energy of which is far lower than the ring structure. Furthermore, we found that the ground state structure presents semiconductor-like properties through the calculation of the density of states.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 349, Issues 1–4, 9 January 2006, Pages 224–229
Journal: Physics Letters A - Volume 349, Issues 1–4, 9 January 2006, Pages 224–229
نویسندگان
Wei Zhao, Pei-lin Cao, Wenhui Duan,