کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1865954 | 1037901 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogenic impurity states in zinc-blende GaN/AlN coupled quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Based on the effective-mass approximation, we have calculated the donor binding energy of a hydrogenic impurity in zinc-blende (ZB) GaN/AlN coupled quantum dots (QDs) using a variational method. Numerical results show that the donor binding energy is highly dependent on the impurity position and coupled QDs structural parameters. The donor binding energy is largest when the impurity is located at the center of quantum dot. When the impurity is located at the interdot barrier edge, the donor binding energy has a minimum value with increasing the interdot barrier width.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 372, Issue 42, 13 October 2008, Pages 6420-6423
Journal: Physics Letters A - Volume 372, Issue 42, 13 October 2008, Pages 6420-6423
نویسندگان
Congxin Xia, Yaming Liu, Shuyi Wei,