کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1867869 | 1038351 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
One-phonon-assisted resonant electron Raman scattering of GaAs quantum dots in an AlAs matrix
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have presented a theoretical calculation of the differential cross section (DCS) for the electron Raman scattering (ERS) process associated with the bulk-like longitudinal optical (LO) and interface optical (IO) phonon modes in semiconductor quantum dots (QDs). Electron states are considered to be confined within the QDs. We consider the Fröhlich electron-phonon interaction in the framework of the dielectric continuum approach. We study selection rules for the processes. Some singularities in the Raman spectra are found and interpreted. A discussion of the phonon behavior for QDs with large and small size is presented. The numerical results are also compared with that of experiments.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 372, Issue 12, 17 March 2008, Pages 2103-2108
Journal: Physics Letters A - Volume 372, Issue 12, 17 March 2008, Pages 2103-2108
نویسندگان
Qing-Hu Zhong, Cui-Hong Liu, Yu-Qin Zhang, Hai-Chao Sun,