کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1867990 | 1530638 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Chemical-shift enhancement for strongly confined electrons in silicon nanocrystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Chemical-shift enhancement for strongly confined electrons in silicon nanocrystals Chemical-shift enhancement for strongly confined electrons in silicon nanocrystals](/preview/png/1867990.png)
چکیده انگلیسی
Theoretical study of the chemical shift and ground level splitting in spherical silicon quantum dot with a shallow donor has been carried out within the framework of the k-p method. We have found the great value of the chemical shift compared to the one in bulk. It is shown that the level splitting strongly depends on the dot radius and the donor position inside the nanocrystal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 367, Issues 1â2, 16 July 2007, Pages 128-134
Journal: Physics Letters A - Volume 367, Issues 1â2, 16 July 2007, Pages 128-134
نویسندگان
Vladimir A. Belyakov, Vladimir A. Burdov,