کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1868760 | 1530949 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Pressure-induced Semimetal-to-Semiconductor Transition in Bismuth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Semimetallic bismuth possesses an unusual electronic structure and an extremely small Fermi surface, which it is predicted can be suppressed to zero size by the application of hydrostatic pressure. We report evidence for a such a semimetal-to-semiconductor transition in single crystal bismuth as measured by transport measurements under pressure, finding that the lowtemperature conductivity (a measure of the carrier density) tends to zero at a pressure of around 25 kbar. We further describe a simple modulation technique for measuring quantum oscillations in low fields without compromising the ability to measure conventional resistivity, applicable to piston cylinder cells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Procedia - Volume 75, 2015, Pages 29-33
Journal: Physics Procedia - Volume 75, 2015, Pages 29-33