کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1870193 | 1530979 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Variational Study of Conduction in Doped Mott Insulator in Terms of Kinetic Energy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The kinetic features of holes (electrons) in the Hubbard model are studied using a variational Monte Carlo method. In doped Mott insulators (U > Uco), holes are classified, in the sense of conduction, into two categories: (i) The holes appearing in doublon-holon pairs are localized, encourage singlet pair formation, and gain the energy to induce a superconducting transition. (ii) The doped holes become carriers, make the system itinerant (superconducting or metallic), but lose the energy in the transition. These two roles are distinguished in correlated superconductivity. This feature is common to antiferromagnetic transitions at large U/t.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Procedia - Volume 45, 2013, Pages 9-12
Journal: Physics Procedia - Volume 45, 2013, Pages 9-12