کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1870196 | 1530979 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Minimum Model and its Theoretical Analysis for Superconducting Materials with BiS2 Layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We perform first principles band calculation of the newly discovered superconductor LaO1-xFxBiS2, and study the lattice structure and the fluorine doping dependence of the gap between the valence and conduction bands. We find that the distance between La and S as well as the fluorine doping significantly affects the band gap. On the other hand, the four orbital model of the BiS2 layer shows that the lattice structure does not affect this portion of the band. Still, the band gap can affect the carrier concentration in the case of light electron doping, which in turn should affect the transport properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Procedia - Volume 45, 2013, Pages 21-24
Journal: Physics Procedia - Volume 45, 2013, Pages 21-24