کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1871329 | 1530952 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Experimental Determination of the Subband Electron Effective Mass in InGaAs/InAlAs HEMT-structures by the Shubnikov – de Haas Effect at Two Temperatures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The electron effective masses m* in different dimensionally quantized subbands in InGaAs/InAlAs HEMT-structures have been measured by the Shubnikov – de Haas effect at two temperatures whose ratio was not equal to 2. The electron effective masses were found separately for the every subband. It was realized by digital bandpass filtering of the Shubnikov – de Haas oscillation to monochromatic oscillations corresponding to subbands. We obtained the dependence of m* in every subband on InAs content in quantum well.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Procedia - Volume 72, 2015, Pages 425-430
Journal: Physics Procedia - Volume 72, 2015, Pages 425-430