کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1871335 | 1530952 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of Diamond and Graphene Heat Spreaders on Characteristics of AlGaN/GaN HEMT
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The impact of diamond and graphene heat spreading layers on the thermal and electrical characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) has been investigated using numerical simulations in the hydrodynamic model. It is shown that the introduction of heat spreader significantly reduced maximum device temperature, increased the device lifetime, and improved current-voltage characteristics. The conditions under which the heat spreader works most effectively were found.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Procedia - Volume 72, 2015, Pages 460-464
Journal: Physics Procedia - Volume 72, 2015, Pages 460-464