کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1872438 | 1531011 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Chemical trends of the band gaps in semiconducting silicon clathrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have calculated the band structures of (M: Na, K, Rb, and Cs) using the density-functional theory with the generalized gradient corrected local density approximation. They are indirect semiconductors with the calculated gaps from 0.45 to 0.89 eV, the gaps becoming wider with the promotion to the heavier encapsulated guest alkali atoms. These are comparable to the calculated gap of 0.65 eV of crystalline Si with the diamond structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Procedia - Volume 11, 2011, Pages 59-62
Journal: Physics Procedia - Volume 11, 2011, Pages 59-62