کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1872448 | 1531011 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on the electronic structure and optical properties of the environmentally friendly semiconductor Ca3Si4
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, electronic structure and optical properties of the bulk of the new-type environment friendly semiconductor material Ca3Si4 are investigated in detail by using first principles pseudo-potential calculations based on the density function theory. The calculation results show that: Ca3Si4 is a semiconducting material with an indirect band gap and the band gap is 0.375 eV; The valence bands of Ca3Si4 are mainly composed of Si 3p as well as 3s, the conduction bands are mainly composed of Ca 3d; The static dielectric constant is 20; The absorption coefficient maximum is 1.7×105 cm−1.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Procedia - Volume 11, 2011, Pages 99-102
Journal: Physics Procedia - Volume 11, 2011, Pages 99-102