کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1874771 | 1530988 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resistively Shunted NbN/AlN/NbN Tunnel Junctions for Single Flux Quantum Circuits
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have developed resistively shunted NbN junctions to realize superconducting single flux quantum circuits operating at 10Â K and/or high speed. The junctions consist of epitaxial NbN/AlN/NbN tunnel junctions and molybdenum (Mo) resistors fabricated on single-crystal MgO substrates. The junction qualities are systematically investigated in a wide range of critical current density (Jc). The gap voltage and the ratio of Rsg/RN were about 5.6Â mV and 11 for the junctions with the Jc of 10 kA/cm2, respectively. The overdamped Josephson junctions with parallel Mo resistors having a nominal sheet resistance showed non-hysteretic current-voltage characteristics for the junctions with Jc of 10 kA/cm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Procedia - Volume 36, 2012, Pages 116-120
Journal: Physics Procedia - Volume 36, 2012, Pages 116-120
نویسندگان
Kazumasa Makise, Hirotaka Terai, Wang Zhen,