کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1875556 | 1531906 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Terahertz-frequency electronic noise in In0.53Ga0.47As n+nn+ nanostructure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this article we present an analytical model for the calculation of high-frequency electronic noise in n+nn+ structure based on In0.53Ga0.47As material by using the analytical approach of Heterostructure Barrier Varactor (HBV) proposed in Ref. [1]. The model enables to interpret the different resonances appearing in the current and voltage spectral densities. In particular, we discuss the effect of geometrical parameters such as the total length of device and the free carriers concentration on the noise resonance. The results can be useful in optimizing the device parameters for the generation of high frequency resonances noise.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Results in Physics - Volume 3, 2013, Pages 209–213
Journal: Results in Physics - Volume 3, 2013, Pages 209–213
نویسندگان
Fatima Zohra Mahi, Luca Varani,