کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1876724 | 1531904 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A modification of usual C-V measurement to more precisely characterize the band offsets in a-Si:H/c-Si heterojunctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Due to a strong inversion layer at the a-Si:H/c-Si interface, there are errors in the determination of the band offsets by usual capacitance-voltage (C-V) measurements. An improved C-V measurement was presented to correct the errors by a modification to the apparent diffusion potential Vint. In this paper, the improved C-V measurement is used to characterize the band offsets in a-Si:H/c-Si heterojunctions with a good precision. The modified apparent diffusion potential is determined from Vint and the minority carrier density at the c-Si interface deduced from the coplanar conductance measurements. The value of ÎEC = 0.17 ± 0.04 eV between a-Si:H and c-Si is found by the improved C-V measurement with a precise determination of the band offsets.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Results in Physics - Volume 5, 2015, Pages 286-289
Journal: Results in Physics - Volume 5, 2015, Pages 286-289
نویسندگان
G.Z. Nie, C.L. Zhong, L.E. Luo, Y. Xu,