کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1889229 1533450 2007 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal treatment influence on radiative recombination center stability in ZnSe(X) crystals
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم تشعشع
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Thermal treatment influence on radiative recombination center stability in ZnSe(X) crystals
چکیده انگلیسی
This work deals with the influence of thermal treatment in an atmosphere of zinc vapors at T=1250K on the radioluminescence spectrum, optical transmission in the range of 450-700 nm, and micro-hardness of ZnSe(X) crystals (X=Te or O partially substituting for Se). The results of our investigations support the fact that the thermodynamic stability of VZnZnIOSe complex is lower than that of ZnIVZnTeSe complex.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Radiation Measurements - Volume 42, Issues 4–5, April–May 2007, Pages 831-834
نویسندگان
, , , , , , , ,