کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
32741 | 44942 | 2009 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Advances in the synthesis of InAs and GaAs nanowires for electronic applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
بیو مهندسی (مهندسی زیستی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
SummaryNew materials and device concepts are in great demand for continual (opto)electronic device scaling and performance enhancement. Arsenide III-V semiconductor nanowires promise novel device architectures and superior (opto)electronic properties. Recent insights into the growth and optimal control over the InAs and GaAs nanowire morphology and distinguished key physical aspects in their growth are discussed. Direct correlation of individual nanowire crystal structure with their electronic transport properties is also presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: - Volume 4, Issue 4, August 2009, Pages 347–358
Journal: - Volume 4, Issue 4, August 2009, Pages 347–358
نویسندگان
Shadi A. Dayeh, Cesare Soci, Xin-Yu Bao, Deli Wang,