کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
445012 | 1443157 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High linearity, low power RF mixer design in 65 nm CMOS technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
شبکه های کامپیوتری و ارتباطات
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A design of RF down-conversion Gilbert-Cell, with 65 nm CMOS technology, at a supply voltage of 1.8 V, with a new degenerating structure to improve linearity. This architecture opens the way to more integrated CMOS RF circuits and to achieve a good characteristics in terms of evaluating parameters of RF mixers with a very low power consumption (2.17 mW). At 1.9 GHz RF frequency; obtained results show a third order input intercept point (IIP3) equal to 11.6 dBm, Noise Figure (NF) is 4.12 dB, when conversion gain is 8.75 dB.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: AEU - International Journal of Electronics and Communications - Volume 68, Issue 9, September 2014, Pages 883–888
Journal: AEU - International Journal of Electronics and Communications - Volume 68, Issue 9, September 2014, Pages 883–888
نویسندگان
Raja Mahmou, Khalid Faitah,