کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
445125 | 1443188 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An ultra-wide-band 3.1–10.6 GHz LNA design in 0.18 μm SiGe BiCMOS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
شبکه های کامپیوتری و ارتباطات
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A two-stage monolithic ultra-wide-band (UWB) low-noise-amplifier (LNA) designed for MB-OFDM in 0.18 μm SiGe BiCMOS process is presented. With an optimized configuration combining advantages of RES-feedback and LC-ladder matching structure, the adjustable wide input matching is got and noise figure (NF) is controlled to a relevant low status. The measured S21 is from 7.6 to 14.2 dB over the 3–11 GHz operating band, NF is from 3.2 dB to 4.8 dB. With a 2.5 V power supply, the LNA has an overall power consumption of 14.5 mW.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: AEU - International Journal of Electronics and Communications - Volume 66, Issue 2, February 2012, Pages 157–161
Journal: AEU - International Journal of Electronics and Communications - Volume 66, Issue 2, February 2012, Pages 157–161
نویسندگان
Chen Lei, Shi Chunqi, Zhang Runxi, Ruan Ying, Lai Zongsheng,