کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
479228 | 1446203 | 2007 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Model-based clustering for integrated circuit yield enhancement
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
علوم کامپیوتر (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper studies the defect data analysis method for semiconductor yield enhancement. Given the defect locations on a wafer, the local defects generated from the assignable causes are classified from the global defects generated from the random causes by model-based clustering, and the clustering methods can identify the characteristics of local defect clusters. The information obtained from this method can facilitate process control, particularly, root-cause analysis. The global defects are modeled by the spatial non-homogeneous Poisson process, and the local defects are modeled by the bivariate normal distribution or by the principal curve.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: European Journal of Operational Research - Volume 178, Issue 1, 1 April 2007, Pages 143–153
Journal: European Journal of Operational Research - Volume 178, Issue 1, 1 April 2007, Pages 143–153
نویسندگان
Jung Yoon Hwang, Way Kuo,