کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
480050 | 700511 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development of 8-inch Key Processes for Insulated-Gate Bipolar Transistor
ترجمه فارسی عنوان
توسعه فرآیندهای کلید 8 اینچ برای ترانزیستور دو قطبی عایق گیت
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
علوم کامپیوتر (عمومی)
چکیده انگلیسی
ABSTRACTBased on the construction of the 8-inch fabrication line, advanced process technology of 8-inch wafer, as well as the fourth-generation high-voltage double-diffused metal-oxide semiconductor (DMOS+) insulated-gate bipolar transistor (IGBT) technology and the fifth-generation trench gate IGBT technology, have been developed, realizing a great-leap forward technological development for the manufacturing of high-voltage IGBT from 6-inch to 8-inch. The 1600 A/1.7 kV and 1500 A/3.3 kV IGBT modules have been successfully fabricated, qualified, and applied in rail transportation traction system.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Engineering - Volume 1, Issue 3, September 2015, Pages 361–366
Journal: Engineering - Volume 1, Issue 3, September 2015, Pages 361–366
نویسندگان
Guoyou Liu, Rongjun Ding, Haihui Luo,