On the pinched hysteresis behavior in a state-controlled resistor

ما نشان می دهیم که رفتار هیسترزیس ضعیف مشاهده شده در یک مقاومت با ولتاژ کنترل با خود کنترل کنترل وضعیت می تواند به جاری جریان در ظرفیت پارازیتی نگه داشتن ولتاژ در این مقاومت. مدل ریاضی توصیف این ساختار مدار مشتق شده و به صورت عددی معتبر است. برای ارائه شواهد تجربی از این پیشنهاد، مدار نماینده یک مقاومت با ولتاژ کنترل به صورت موازی با یک خازن قرار داده می شود و سپس جریان در این خازن، که متناسب با مشتق ولتاژ اعمال شده است، حس می شود، تبدیل به یک ولتاژ و برای کنترل ارزش مقاومت استفاده می شود. این امر منجر به ظهور یک حلقه هیسترزیس شدید می شود که به لحاظ نظری پیش بینی شده است. این کار بینش مناسبی را برای منشاء این رفتار در دستگاه های ساخته شده حالت جامد فراهم می کند که می توان نشان داد که به دنبال ساختار مدار پیشنهاد شده است.