کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5007324 | 1461600 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Broadband photoluminescence of silicon nanowires excited by near-infrared continuous wave lasers
ترجمه فارسی عنوان
فوتولومینسانس پهنای باند نانوسیم های سیلیکونی که موجب می شود توسط لیزرهای موج مادون قرمز نزدیک به مادون قرمز
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
In advanced nanomaterials field, silicon nanowires (SiNWs) play an increasing significant role due to the outstanding optical properties. Although various kinds of investigations for SiNWs in optical characteristic have been proposed, it remained rare study of the photoluminescence (PL) phenomenon. Here, we theoretically and experimentally demonstrate an upconversion PL with broadband spectrum by exciting SiNWs using 980Â nm continuous wave laser. PL spectra are efficiently detected and range from 500Â nm to 920Â nm. An electron can be transferred to higher excitation energy levels by absorbing one photon with the assistance of multi-phonons, producing hot luminescence. The proposed concept of PL phenomenon can be extended to biosensor, fluorescence labeling systems, and miniature broadband optical source emitters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 99, 1 February 2018, Pages 81-85
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 99, 1 February 2018, Pages 81-85
نویسندگان
Zongbao Li, Xin Wang, Shaojing Liu, Jianxin Yang, KeZhang Shi, Haiyan Wang, Debin Zhu, Xiaobo Xing,