کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5007399 | 1461609 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Monolithic integration of a InP AWG and InGaAs photodiodes on InP platform
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We demonstrate a monolithic integration of a photodiode array and a 13 channels arrayed waveguide grating (AWG) grown on InP substrate with a shallow trench structure between the AWG top cladding layer and the photodiode p-doped layer. A smooth epitaxial structure interface is obtained by nonselective regrowth to make the two epitaxial structure compatible and fabrication easy. Three-dimensional finite-difference time-domain(FDTD) solutions are used in the optical simulations. The highest simulation quantum efficiency can achieve 82%. The fabricated PD with a trench structure presents a responsivity of 0.68Â A/W. The integrated device can achieve a total capacity of more than 200Â Gb/s.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 90, 1 May 2017, Pages 122-127
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 90, 1 May 2017, Pages 122-127
نویسندگان
Qianqian Lv, Qin han, Pan Pan, Han Ye, Dongdong Yin, Xiaohong Yang,